近日，數(shù)理學(xué)院程王平博士團(tuán)隊(duì)在《Crystal Growth & Design》發(fā)表論文“Solution-Driven Epitaxial Structure Formation of the Delafossite CuCrO₂ Thin Film”，程王平博士為該文第一作者，數(shù)理學(xué)院何媛娣博士為該文通訊作者。該期刊影響因子IF=3.4，JCR一區(qū)期刊，中科院一區(qū)期刊。

該論文報(bào)道了一種高質(zhì)量外延CuCrO₂薄膜的溶液制備方法。通過(guò)改變前驅(qū)體的溶劑比例，利用化學(xué)溶液沉積法制備出高質(zhì)量CuCrO₂薄膜。優(yōu)化比例后的外延CuCrO₂薄膜的表面形貌優(yōu)于其他物理法制備的薄膜，同時(shí)具有更小的方塊電阻以及較高的光學(xué)透過(guò)率。研究結(jié)果為利用低成本化學(xué)溶液沉積法進(jìn)行高質(zhì)量單晶外延薄膜的制備提供了切實(shí)可行的技術(shù)路徑。（撰稿：程王平；審核：張海）